让我们的发电技术，产品和系统，除了是我们客户的当前和未来的应用需求的深刻理解。我们的核心价值观是质量，通过不断的创新，在整个设计阶段的可靠性和寿命，开发和制造。低电压和高电压栅极驱动器IC和董事会为可靠和有效的IGBT和MOSFET控制解决方案。英飞凌的直流低电压的栅极驱动器是在应用如计算负荷电信点双功率MOSFET高速驱动，裁剪系统的基础上设计的状况和需要的效率。请找到我们的高性能隔离栅驱动电路和板（eicedriver）是MOSFET和IGBT分立器件结合甚至模块对于大多数工业应用。

大功率晶闸管和二极管

对于高功率应用，如电驱动presspack或模块的鲁棒性与高效的晶闸管外壳和二极管，电压软起动器，通用电源和更复杂的能量传输系统。

IGBT

英飞凌科技公司提供了一个全面的技术领先的IGBT赤裸的模，组合分立器件，模块，甚至完整的堆栈。这使我们能够为您提供的工业应用，如通用逆变器的可靠和高效的解决方案，太阳能和风能逆变器，UPS，焊接，感应加热电源系统。我们还建议在电饭煲消费者应用程序使用我们的IGBT，微波感应灶具甚至空调系统。汽车的IGBT模块和离散也可以应用于诸如压电喷射，HID照明，水泵和小型驱动器。

集成功率级

该产品的功率级的解决方案提供了最高的效率和功率密度等，drblade DrMOS。与drblade英飞凌提供了一个新的超小型集成MOSFET半桥式驱动器，以革命叶片芯片嵌入技术。

MOSFET

英飞凌的MOSFET的组合提供汽车MOSFET，功率MOSFET和RF MOSFET。的OptiMOS紡晬钏用相结合的一个强大的软件包能够提供最好的性能和突出的电流容量MOSFET技术领先。在电力应用中，20v-250v一贯的OptiMOS设定基准电源系统设计的关键指标，包括领先的功态电阻和图。革命力量500v-900v CoolMOS家庭在能源效率领域建立新的标准，提供一个显着减少传导和开关损耗，高功率转换系统实现高功率密度和效率。

sicarbide（SiC）

SiC器件提供了大量的高电压功率半导体器件有吸引力的特点相比，常用的硅（Si）。英飞凌的THINQ！匡椀C肖特基二极管从600v-1200v提高等应用服务器解决方案的成本，效率和太阳能照明，通信，消费，电脑电源和直流/交流。革命coolsicㄡ200V SiC JFET的家庭，结合所提出的直接驱动技术，代表了实际设计带来对新的和到目前为止高不可攀的效率水平英飞凌的领先的解决方案。也可用：高效的IGBT功率模块与SiC续流二极管。

 

大功率晶闸管及二极管

IGBT

MOSFET

Smart Low-Side & High-Side Switches

直流-直流一体式功率单元

Supply | Voltage Regulator

DC-DC Converter

门级驱动器

电机驱动芯片

照明控制器和LED驱动器

Silicon Carbide (SiC)