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SPP10N10
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-TO220-3-1
技术参数:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
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技术参数详情:
制造商产品型号:SPP10N10制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:SIPMOS?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):10.3A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):170 毫欧 @ 7.8A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 21μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):19.4nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):426pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):50W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:PG-TO220-3-1现在可以订购SPP10N10,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。