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SPP02N60S5
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TO220-3
技术参数：MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
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技术参数详情：
制造商产品型号：SPP02N60S5制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220系列：CoolMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.8A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 1.1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 80μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：240pF @ 25V功率 - 最大值：25W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3现在可以订购SPP02N60S5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
