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IRG4BC30WSTRR
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT D2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRG4BC30WSTRR制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：IGBT D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：23A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A功率-最大值：100W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购IRG4BC30WSTRR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
