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IRFS17N20DTRR
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D2PAK
技术参数：MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRFS17N20DTRR制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：HEXFET?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 9.8A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），140W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK现在可以订购IRFS17N20DTRR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
