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IRFH5020TR2PBF
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-PQFN（5x6）
技术参数：MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRFH5020TR2PBF制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：*零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.1A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 7.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 150μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54nC @ 10VVgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2290pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：-工作温度：-安装类型：表面贴装型器件封装：8-PQFN（5x6）现在可以订购IRFH5020TR2PBF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
