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IRF8513PBF
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRF8513PBF制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：8A，11A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.5 毫欧 @ 8A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.6nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：766pF @ 15V功率-最大值：1.5W，2.4W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购IRF8513PBF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
