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IRF7811APBF
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SO
技术参数：MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
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技术参数详情：
制造商产品型号：IRF7811APBF制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8SO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：HEXFET?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：28V25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 11A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1760pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SO现在可以订购IRF7811APBF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
