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IRF1010EZLPBF 图片
IRF1010EZLPBF
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-262
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 75A TO262
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌(Infineon)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IRF1010EZLPBF
  • 制造商:英飞凌(Infineon Technologies)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO262
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:HEXFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):75A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.5 毫欧 @ 51A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):86nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2810pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):140W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-262
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