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IPT111N20NFDATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-HSOF-8-1
技术参数：MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPT111N20NFDATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：OptiMOS?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：96A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.1 毫欧 @ 96A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 267μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：87nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7000pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：375W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-HSOF-8-1现在可以订购IPT111N20NFDATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
