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IPP65R600E6
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:单端场效应管,TO-220-3
技术参数:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPP65R600E6制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220系列:CoolMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):650V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.3A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 2.1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 210μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):440pF @ 100V功率 - 最大值:63W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3供应商器件封装:TO-220-3现在可以订购IPP65R600E6,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。