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IPP26CN10N G
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，TO-220-3
技术参数：MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPP26CN10N G制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 100V 35A TO-220系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：26 毫欧 @ 35A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 39μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2070pF @ 50V功率 - 最大值：71W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：TO-220-3现在可以订购IPP26CN10N G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
