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IPN80R3K3P7ATMA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-SOT223
技术参数:MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPN80R3K3P7ATMA1制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:CoolMOS? P7零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):800V25°C时电流-连续漏极(Id):1.9A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.3 欧姆 @ 590mA,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 30μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.8nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):120pF @ 500VFET功能:-功率耗散(最大值):6.1W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PG-SOT223现在可以订购IPN80R3K3P7ATMA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。