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IPL60R199CP
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-VSON-4
技术参数：MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPL60R199CP制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON系列：CoolMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：16.4A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：199 毫欧 @ 9.9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 660μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1520pF @ 100V功率 - 最大值：139W安装类型：表面贴装封装/外壳：4-TSFN 裸露焊盘供应商器件封装：PG-VSON-4现在可以订购IPL60R199CP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
