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IPG20N06S2L65ATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPG20N06S2L65ATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：*零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：55V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：410pF @ 25V功率-最大值：43W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFN现在可以订购IPG20N06S2L65ATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
