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IPG20N04S4L07ATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPG20N04S4L07ATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.2 毫欧 @ 17A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 30μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3980pF @ 25V功率-最大值：65W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFN现在可以订购IPG20N04S4L07ATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
