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IPD65R380E6
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TO252-3
技术参数：MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPD65R380E6制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252系列：CoolMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.6A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 3.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 320μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：710pF @ 100V功率 - 最大值：83W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3现在可以订购IPD65R380E6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
