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IPD50R950CE
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TO252-3
技术参数：MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPD50R950CE制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252系列：CoolMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：超级结漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：950 毫欧 @ 1.2A，13V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：231pF @ 100V功率 - 最大值：34W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3现在可以订购IPD50R950CE，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
