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IPD100N06S4-03
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TO252-3-11
技术参数：MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPD100N06S4-03制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 90μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：128nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10400pF @ 25V功率 - 最大值：150W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3-11现在可以订购IPD100N06S4-03，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
