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IPBE65R099CFD7AATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-7-3-10
技术参数：MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPBE65R099CFD7AATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, CoolMOS? CFD7A零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 12.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 630μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：53nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2513pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：127W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO263-7-3-10现在可以订购IPBE65R099CFD7AATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
