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IPB180N08S402ATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-7-3
技术参数：MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPB180N08S402ATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：80V25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 220μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：167nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11550pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：277W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO263-7-3现在可以订购IPB180N08S402ATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
