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IPB120N10S403ATMA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:D2PAK(TO-263AB)
技术参数:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPB120N10S403ATMA1制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):120A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.5 毫欧 @ 100A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 180μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):140nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):10120pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):250W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:D2PAK(TO-263AB)现在可以订购IPB120N10S403ATMA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。