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IPB067N08N3 G
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:单端场效应管,PG-TO263-2
技术参数:MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPB067N08N3 G制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3系列:OptiMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):80V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 73A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 73μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3840pF @ 40V功率 - 最大值:136W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:PG-TO263-2现在可以订购IPB067N08N3 G,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。