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IPB041N04N G
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TO263-2
技术参数：MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPB041N04N G制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.1 毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 45μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 20V功率 - 最大值：94W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263-2现在可以订购IPB041N04N G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
