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IPA65R190C6XKSA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO220 整包
技术参数：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
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技术参数详情：
制造商产品型号：IPA65R190C6XKSA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolMOS?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：20.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 7.3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 730μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1620pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：34W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：PG-TO220 整包现在可以订购IPA65R190C6XKSA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
