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IKD08N65ET6ARMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IKD08N65ET6ARMA1
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技术参数详情：
制造商产品型号：IKD08N65ET6ARMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：IKD08N65ET6ARMA1系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：TrenchStop?零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：15A电流-集电极脉冲(Icm)：25A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，5A功率-最大值：47W开关能量：110μJ（开），40μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：17nC25°C时Td（开/关）值：20ns/59ns测试条件：400V，5A，47 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：43ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购IKD08N65ET6ARMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
