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IKD06N60RFATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：IKD06N60RFATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：TrenchStop?零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：12A电流-集电极脉冲(Icm)：18A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，6A功率-最大值：100W开关能量：90μJ（开），90μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：48nC25°C时Td（开/关）值：7ns/106ns测试条件：400V，6A，23 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：48ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购IKD06N60RFATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
