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IGB03N120H2ATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：IGB03N120H2ATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後搶購IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：9.6A电流-集电极脉冲(Icm)：9.9A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A功率-最大值：62.5W开关能量：290μJ输入类型：标准栅极电荷：22nC25°C时Td（开/关）值：9.2ns/281ns测试条件：800V，3A，82 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购IGB03N120H2ATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
