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IGB01N120H2ATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
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技术参数详情：
制造商产品型号：IGB01N120H2ATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後搶購IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：3.2A电流-集电极脉冲(Icm)：3.5A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，1A功率-最大值：28W开关能量：140μJ输入类型：标准栅极电荷：8.6nC25°C时Td（开/关）值：13ns/370ns测试条件：800V，1A，241 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购IGB01N120H2ATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
