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IAUC45N04S6L063HATMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：IAUC45N04S6L063HATMA1
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技术参数详情：
制造商产品型号：IAUC45N04S6L063HATMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：IAUC45N04S6L063HATMA1系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tj）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 22A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 9μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：25V功率-最大值：41W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFN现在可以订购IAUC45N04S6L063HATMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
