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FF23MR12W1M1B11BOMA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：模块
技术参数：MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
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技术参数详情：
制造商产品型号：FF23MR12W1M1B11BOMA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：CoolSiC?+零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：碳化硅（SiC）漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）25°C时电流-连续漏极(Id)：50A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 50A，15V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 20mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：125nC @ 15V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3950pF @ 800V功率-最大值：20mW工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：模块现在可以订购FF23MR12W1M1B11BOMA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
