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BSS209PWH6327XTSA1
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-SOT323-3
技术参数：MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSS209PWH6327XTSA1制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：OptiMOS?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：630mA（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 630mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 3.5μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：115pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：300mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-SOT323-3现在可以订购BSS209PWH6327XTSA1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
