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BSR316P L6327
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-SC-59
技术参数：MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSR316P L6327制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59系列：SIPMOSFET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：360mA（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 360mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 170μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：165pF @ 25V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：PG-SC-59现在可以订购BSR316P L6327，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
