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BSO303P H
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:场效应管阵列,PG-DSO-8
技术参数:MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
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技术参数详情:
制造商产品型号:BSO303P H制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8系列:OptiMOS?FET 类型:2 个 P 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2678pF @ 25V功率 - 最大值:2W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:PG-DSO-8现在可以订购BSO303P H,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。