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BSO215C
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSO215C制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：SIPMOS?零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.7A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 3.7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 10μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.5nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：246pF @ 25V功率-最大值：2W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购BSO215C，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
