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BSO130P03S H
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，P-DSO-8
技术参数：MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSO130P03S H制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11.7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 140μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：81nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3520pF @ 25V功率 - 最大值：1.56W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：P-DSO-8现在可以订购BSO130P03S H，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
