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BSF024N03LT3 G
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，MG-WDSON-2
技术参数：MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSF024N03LT3 G制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15A（Ta），106A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：71nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5500pF @ 15V功率 - 最大值：2.2W安装类型：表面贴装封装/外壳：3-WDSON供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M现在可以订购BSF024N03LT3 G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
