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BSC160N10NS3 G
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TDSON-8
技术参数：MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：BSC160N10NS3 G制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.8A（Ta），42A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 33A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 33μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1700pF @ 50V功率 - 最大值：60W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8现在可以订购BSC160N10NS3 G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
