英飞凌中国代理商联接渠道
强大的英飞凌芯片现货交付能力，助您成功
BSC109N10NS3 G
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TDSON-8
技术参数：MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
（专注销售英飞凌电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
技术参数详情：
制造商产品型号：BSC109N10NS3 G制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：63A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.9 毫欧 @ 46A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 45μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2500pF @ 50V功率 - 最大值：78W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8现在可以订购BSC109N10NS3 G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
