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BSC0911NDATMA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerTDFN
技术参数:MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
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技术参数详情:
制造商产品型号:BSC0911NDATMA1制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:OptiMOS?零件状态:有源FET类型:2 N 沟道(双)非对称型FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动漏源电压(Vdss):25V25°C时电流-连续漏极(Id):18A,30A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.2 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1600pF @ 12V功率-最大值:1W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerTDFN现在可以订购BSC0911NDATMA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。