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BSC016N06NS
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:单端场效应管,PG-TDSON-8
技术参数:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
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技术参数详情:
制造商产品型号:BSC016N06NS制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8系列:OptiMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Ta),100A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.6 毫欧 @ 50A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 95μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):71nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5200pF @ 30V功率 - 最大值:139W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN供应商器件封装:PG-TDSON-8现在可以订购BSC016N06NS,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。